【导读】安森美发布垂直氮化镓功率半导体，采用独家GaN-on-GaN技能，实现电流垂直导通。新品撑持更高事情电压与更快开关频率，功耗降低近50%，体积更小。该技能面向AI数据中央、电动汽车、可再生能源等范畴，助力晋升体系能效与功率密度，现已经向客户提供样品。

焦点择要

跟着全世界能源需求因AI 数据中央、电动汽车以和其他高能耗运用而激增，安森美推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，为相干运用的功率密度、能效及耐用性树立新标杆。这些冲破性的新一代GaN-on-GaN 功率半导体可以或许使电流垂直流过化合物半导体，能实现更高的事情电压及更快的开关频率，助力AI 数据中央、电动汽车（EV）、可再生能源，以和航空航天等范畴实现更节能、更轻量紧凑的体系。

要点

·专有的GaN-on-GaN技能实现更高压垂直电流导通，撑持更快的开关速率及更紧凑的设计。

·这一冲破性方案降低能量损耗及热量，损耗削减近50%。

·由安森美于纽约锡拉丘兹的研发团队开发，涵盖基础工艺、器件架构、制造和体系立异的130多项专利。

·安森美向初期客户提供700V及1,200V器件样品。

安森美的垂直GaN技能是一项冲破性的功率半导体技能，为AI及电气化时代树立了于能效、功率密度及耐用性方面的新标杆。该技能于安森美纽约锡拉丘兹的工场研发及制造，并已经得到涵盖垂直GaN技能的基础工艺、器件设计、制造以和体系立异的130多项全世界专利。

“垂直GaN是倾覆行业格式的技能冲破，巩固了安森美于能效与立异范畴的领先职位地方。跟着电气化及人工智能重塑财产格式，能效已经成为权衡前进的新标杆。咱们的电源产物组合中新增垂直GaN技能，赋能客户冲破机能界限，是打造更具竞争力产物的抱负选择。安森美这一冲破，正创始以能效与功率密度为制胜要害的将来。”安森美企业战略高级副总裁Dinesh Ramanathan说。

世界正步入一个全新的时代，能源正成为技能前进的要害制约因素。从电动汽车及可再生能源，到如今甚至跨越一些都会耗电量的AI数据中央，电力需求的增加速率远超咱们高效发电与输电的能力。如今，每一一瓦的节能都至关主要。

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安森美的垂直氮化镓技能采用单芯片设计，可应答1,200伏和以上高压，高频开关年夜电流，能效卓着。基在该技能构建的高端电源体系能降低近50%的能量损耗，同时因其更高的事情频率，于是电容器及电感等被动元件尺寸可缩减约一半。并且，与今朝市售的横向GaN器件比拟，垂直氮化镓器件的体积约为其三分之一。是以，安森美的垂直氮化镓尤为合适对于功率密度、热机能及靠得住性有严苛要求的要害年夜功率运用范畴，包括：

·AI数据中央：削减元器件数目，提高AI计较体系800V DC-DC转换器的功率密度，显著优化单机架成本

·电动汽车：打造更小、更轻、更高效的逆变器，晋升电动汽车续航里程

·充电基础举措措施：实现更快、更小、更稳健的充电装备

·可再生能源：晋升太阳能及风能逆变器的电压处置惩罚能力，降低能量损耗

·储能体系（ESS）：为电池变流器及微电网提供快速、高效、高密度的双向供电

·工业主动化：开发体积更小、散热机能更好、能效更高的机电驱动及呆板人体系

·航空航天：打造机能更强、稳健性更高、设计更紧凑的方案

今朝市售的年夜大都GaN器件都采用非氮化镓衬底，重要是硅或者蓝宝石衬底。对于在超高压器件，安森美的垂直氮化镓（vGaN）采用GaN-on-GaN技能，使电流可以或许垂直流过芯片，而不是沿外貌横向流动。这设计可实现更高的功率密度、更优秀的热不变性，且于极度前提下机能依旧稳健。依附这些上风，vGaN周全逾越了硅基氮化镓（GaN-on-silicon）及蓝宝石基氮化镓（GaN-on-sapphire）器件，提供更高的耐压能力、开关频率、靠得住性以和耐用性。这有助在开发更小、更轻巧、更高效的电源体系，同时降低散热需乞降总体体系成本。重要上风包括：

•更高的功率密度：垂直GaN能以更小的尺寸蒙受更高的电压及更年夜的电流

•更高的能效：于功率转换历程中削减能量损耗，降低发烧量及散热成本

•体系更紧凑：更高的开关频率能缩减电容器及电感器等无源元件的尺寸

供货

今朝安森美向初期客户提供样品。