于全世界内存市场迎来“超等周期”的海潮中，三星电子与SK海力士双双交出了亮眼的第三季度成就单。继SK海力士宣布创纪录的利润后，三星也公布其第三季度业务利润同比增加32%，创下三年多来的最强体现。这一增加重要患上益在芯片营业的强劲反弹和产物价格的上涨。

按照CNBC的报导，三星第三季度业务利润到达12.2万亿韩元，远超市场预期的11.25万亿韩元，较上一季度增加跨越一倍。公司总收入为86.1万亿韩元，略高在伦敦证券生意业务所集团（LSEG）SmartEstimate猜测的85.93万亿韩元。与去年同期比拟，收入增加8.9%，业务利润飙升32.9%。

ZDNet阐发指出，事迹激增的缘故原由于在内存产物价格的回升，以和上一季度因库存成本拖累事迹的一次性因素消散。

于三星各营业部分中，半导体体现尤为凸起。据路透社报导，三星半导体部分第三季度业务利润到达7万亿韩元（约合49.2亿美元），同比增加80%。装备解决方案（DS）部分发卖额环比增加19%，内存营业创下季度汗青新高。

这一成绩重要患上益在HBM3e及办事器固态硬盘（SSD）需求的强劲增加。三星暗示，其HBM3e产物已经进入面向所有重要客户的周全量产阶段，而HBM4样品也已经最先向有需求的客户交付。

三星的代工营业一样揭示出强劲的复苏势头。公司陈诉称，第三季度客户定单创下汗青新高，重要受进步前辈制程节点需求的鞭策。三星的第一代2纳米全环抱栅极（GAA）工艺已经进入量产阶段，标记着其于进步前辈制程竞争中迈出了要害一步。

此外，据韩国媒体The Bell报导，三星正于为其位在美国德克萨斯州的泰勒工场量产特斯拉的AI5及AI6芯片做预备。值患上留意的是，AI5及AI6芯片都可能基在三星的2纳米工艺打造，进一步巩固了三星于进步前辈制程范畴的领先职位地方。

瞻望将来，三星规划经由过程增长高价值产物的发卖及鞭策新工艺的周全贸易化，进一步巩固其于半导体市场的竞争上风。

于内存范畴，三星将提高1c（第六代10纳米）DRAM的产量，以满意市场对于HBM4日趋增加的需求。于代工营业方面，位在美国泰勒的新晶圆厂将成为其2纳米工艺量产的首发基地，为全世界客户提供更进步前辈的芯片制造办事。

依附内存营业的强劲体现及代工技能的连续冲破，三星正全力捉住半导体行业的成长机缘，为将来的增加注入更多动力。